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摘要:
在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.
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文献信息
篇名 LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 激发 LPCVD 光致发光 能隙态模型
年,卷(期) 2000,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 517-520
页数 4页 分类号 O433.4
字数 1597字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶甜春 中国科学院微电子研究中心 200 911 14.0 18.0
2 赵玲莉 中国科学院微电子研究中心 4 54 3.0 4.0
3 孙宝银 中国科学院微电子研究中心 2 10 2.0 2.0
4 刘渝珍 中国科技大学研究生院 1 7 1.0 1.0
5 石万全 中国科技大学研究生院 1 7 1.0 1.0
6 韩一琴 中国科技大学研究生院 1 7 1.0 1.0
7 刘世祥 中国科技大学研究生院 1 7 1.0 1.0
8 陈梦真 中国科学院微电子研究中心 1 7 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
激发
LPCVD
光致发光
能隙态模型
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研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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