带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵

• 作者: 冯小明 刘宗顺 刘素平 方高瞻 肖建伟 谭满清 马骁宇
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 激光二极管列阵 非注入区 COD GaAs/AlGaAs
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.12.003

摘要

报导了带有腔面非注入区的808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果.在器件前后腔面处引入25μm非注入区,填充密度为17%的1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达87W,热沉温度是25℃,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高40%.器件在连续15W下恒功老化,工作寿命超过5000h.