Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

• 作者: 何华辉 段志云 王坚红 胡华安
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: DV-Xα方法 YIG磁光薄膜 磁光效应
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 488-490
• 页数: 3页
• 分类号: TM277.3
• 字数: 2086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.05.015

摘要

采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何华辉		12	135	5.0	11.0
2	胡华安		17	42	2.0	6.0
3	段志云		5	2	1.0	1.0
4	王坚红		7	17	2.0	4.0