MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

• 作者: 于奇 刘玉奎 孔学东 方朋 杨沛锋 杨谟华 王向展 肖兵 谭超元 钟征宇 陈勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 模型参数 热载流子 退化/寿命 MOSFET
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 268-273
• 页数: 6页
• 字数: 3765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.012

摘要

基于MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量△Ids/Idso、Isub等实测数据的拟合处理，发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统，实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度Lc和寿命因子H、m、n提取.实验研究结果表明，模型及提取参数合理可信，并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测.