超薄基区SiGe HBT电流传输模型

• 作者: 孔德义 李垚 许居衍 魏敬和
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: HBT 电流传输 SiGe
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 字数: 1787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.01.019

摘要

从玻尔兹曼方程出发，分析了SiGe HBT超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区SiGe HBT电流传输模型。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许居衍	东南大学无锡应用科学与工程研究院	3	10	2.0	3.0
2	孔德义	东南大学无锡应用科学与工程研究院	2	10	2.0	2.0
3	李垚	东南大学无锡应用科学与工程研究院	3	3	1.0	1.0
4	魏敬和	东南大学无锡应用科学与工程研究院	1	3	1.0	1.0