InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

• 作者: 刘祥林 汪度 王晓晖 袁海荣 陆大成 韩培德
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单量子阱 绿光LED MOVPE
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 726-728
• 页数: 3页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 1370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.019

摘要

采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	19	103	5.0	9.0
2	韩培德	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	35	127	6.0	9.0
3	汪度	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	9	20	3.0	3.0
4	陆大成	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	13	45	4.0	6.0
5	王晓晖	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	11	21	3.0	3.0
6	袁海荣	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	8	39	4.0	6.0