SrS:Eu与SrS:Eu,Sm中电子陷阱与光存储研究

• 作者: 何志毅 孙力 徐叙瑢 王永生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子陷阱 光存储 电子俘获 光激励发光
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1377-1382
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.033

摘要

对SrS:Eu和SrS:Eu,Sm激发初始阶段的荧光上升过程和余辉进行了研究,并进一步考证其中电子陷阱的属性.通过两种样品和两个阶段的比较,对陷阱数量和深度的变化、量子效率以及电子俘获和释放、复合过程进行了分析,发现Sm离子并不影响陷阱的数量.利用吸收光谱方法研究了SrS:Eu,Sm中电子由陷阱能级向导带的跃迁.通过陷阱饱和-倒空吸收谱差,即激励吸收谱及其强度随Eu,Sm浓度的变化,探讨了掺杂浓度对陷阱浓度和光存储饱和量的影响.结果表明Sm离子的作用是使陷阱能级加深从而能稳定地储存电子.通过激励吸收谱峰值强度可确切地比较光存储材料在这方面的性能,并与光激励谱的测量方法作了对照.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永生	北方交通大学光电子技术研究所	26	151	7.0	10.0
2	孙力	北方交通大学光电子技术研究所	15	136	7.0	11.0
3	何志毅	北方交通大学光电子技术研究所	4	39	3.0	4.0
4	徐叙瑢	北方交通大学光电子技术研究所	24	320	10.0	17.0