气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

• 作者: 李美亚 林揆训 熊光成 王忠烈 范守善 赵清太
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CeO2薄膜 结晶取向 脉冲激光沉积 气氛氧压
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 159-161
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.758.11
• 字数: 2134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.02.018

摘要

用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Si(100)片上制备了一系列的CeO2膜.X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为(111)取向,在较高的氧压下生长的膜则为(100)取向.研究表明,CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用.讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊光成	北京大学物理系	25	63	4.0	7.0
2	范守善	清华大学物理系	11	43	3.0	6.0
3	林揆训	汕头大学科学院材料所	29	339	9.0	18.0
4	李美亚	汕头大学科学院材料所	2	5	2.0	2.0
8	王忠烈		1	3	1.0	1.0
9	赵清太		1	3	1.0	1.0