GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

• 作者: G.Li S.J.Chua 叶红娟 李志锋 沈学础 袁先璋 陆卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: α-GaN外延薄膜 红外反射光谱 载流子浓度 迁移率 LO声子与等离子体激元耦合模 Raman光谱
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1614-1619
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5006字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.08.039

摘要

用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到L声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
2	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	37	186	8.0	12.0
3	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	17	41	3.0	6.0
4	叶红娟	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	4	13	2.0	3.0
5	袁先璋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	8	1.0	1.0