透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究

• 作者: 孙超 裴志亮 谭明晖 闻立时 陈猛 黄荣芳
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Al薄膜 电阻空间分布 光电性能
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TG113|O484|TN304.21
• 字数: 2864字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.01.017

摘要

用磁控反应溅射法制备了ZnO:Al(简称ZAO)薄膜,研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌,并对ZnO:Al薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了XPS和AES分析,同时也讨论了薄膜的光学电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙超	中国科学院金属研究所	126	1708	23.0	34.0
2	黄荣芳	中国科学院金属研究所	37	704	16.0	25.0
3	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
4	裴志亮	中国科学院金属研究所	19	425	12.0	19.0
5	陈猛	中国科学院金属研究所	19	341	8.0	18.0
6	谭明晖	中国科学院金属研究所	6	132	6.0	6.0