用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流

• 作者: 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 974-982
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 字数: 5763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.05.030

摘要

采用干涉方法研究FN振荡电流,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式.通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性.干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了波的本性,这种方法的一个重要特征是它对不同形状的势垒和势阱可能均适用.还分析了有关FN振荡电流的实验现象,并给出了相应的物理解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
4	卫建林	北京大学微电子学研究所	7	19	3.0	4.0