偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究

• 作者: 夏义本 居建华 张文广 王林军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石薄膜 偏压形核 选择性生长
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 510-512
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.18
• 字数: 2075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.05.024

摘要

利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏义本	上海大学材料科学与工程学院无机材料系	111	725	13.0	19.0
2	王林军	上海大学材料科学与工程学院无机材料系	109	441	11.0	14.0
3	居建华	上海大学材料科学与工程学院无机材料系	28	114	7.0	9.0
4	张文广	上海大学材料科学与工程学院无机材料系	4	21	2.0	4.0