真空退火对周期性界面掺杂Ni80Co20薄膜磁性的影响

• 作者: 何贤美 童六牛 鹿牧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层膜 各向异性磁电阻 界面效应 退火
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2290-2295
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.11.033

摘要

用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的[Ni80Co20(L)/Fe(tFe)]N多层膜系列样品,其中tFe=0.1和2nm.研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni80Co20层厚度L的变化关系.在退火态[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品中,发现各向异性磁电阻(AMR)和横向磁电阻(TMR)在L为10nm附近存在一较宽的增强峰,其峰位与制备态[Ni80Co20(L)/Fe(2nm)]25多层膜TMR的增强峰位一致.当L小于Ni80Co20合金的电子平均自由程时,制备态[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N样品的各向异性磁电阻(Δρ)和零场电阻率ρ都随L的减小而增加,且ρ的增量超过Δρ的增量.ρ随L的依赖关系可采用Fuchs-Sondheimer理论描述.在L小于10nm时,制备态界面掺杂[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品的矫顽力Hc随L近似直线上升,在L大于10nm后趋于饱和.退火后Hc显著下降.实验结果表明,在多层膜结构中,界面散射可导致ρ和Δρ的增强;磁性合金界面层还可导致畴结构的改变及TMR和AMR的增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	童六牛	华东冶金学院冶金工程系	2	4	1.0	2.0
2	何贤美	华东冶金学院冶金工程系	1	1	1.0	1.0