多层伊辛膜的磁学性质

• 作者: 周云松 林多梁 陈金昌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层膜 伊辛模型 磁化
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2477-2481
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.12.029

摘要

用变分累积展开(VCE)方法的一阶近似计算了包括最近邻和次近邻作用的多层伊辛膜的磁学性质,导出了自发磁化强度、矫顽力、居里点、奈尔点、顺磁磁化率及分子场系数与层数的关系表达式,并做了数值计算和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周云松	首都师范大学物理系	27	156	9.0	11.0
2	陈金昌	首都师范大学物理系	5	15	2.0	3.0