光照下高电子迁移率晶体管特性分析

• 作者: 吕永良 周世平 徐得名
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 光压 电荷控制模型 二维电子气
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1394-1399
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.037

摘要

以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I-V特性以及跨导的影响.与无光照的情况相比较,夹断电压变小,二维电子气浓度增大,从而提高了器件的电流增益,增大了跨导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周世平	上海大学物理系	35	291	9.0	16.0
2	徐得名	上海大学通信工程系	40	394	11.0	18.0
3	吕永良	上海大学物理系	2	2	1.0	1.0