硅量子点中电子的荷电动力学特征

• 作者: 卜惠明 吴军 张荣 施毅 杨红官 袁晓利 赵波 郑有科
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 电容谱 库仑荷电能 直接隧穿
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2037-2040
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.10.027

摘要

利用频率依赖电容谱的测量,对于SiO2/硅量子点/SiO2/硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究.由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰,它们分别对应于硅衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程.实验数据分析给出了量子点中的库仑荷电能,并进行了讨论.