不同剂量C离子注入Si单晶中Si1-xCx合金的形成及其特征

• 作者: 李晋闽 林兰英 王引书 王玉田 金运范
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si1-xCx合金 离子注入 固相外延
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2210-2213
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.11.018

摘要

室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了不同注入剂量下Si1-xCx合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850-950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si1-xCx合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx合金,但如果注入C原子的浓度达到1.5%,只有部分C原子参与形成Si1-xCx合金.升高退火温度,Si1-xCx合金相基本消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王引书	北京师范大学物理系	29	92	4.0	8.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	金运范	中国科学院近代物理研究所	38	183	9.0	12.0
4	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
5	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0