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摘要:
通过数据拟合,理论分析,参数比对等方法,对涉及208Pb、207Pb和206Pb的低分立能级参数的有关研究成果,包括直接的(n,n)、(n,n′γ)和间接的(e,e)、(p,p′)、(α,α′)反应等,进行了细致的评价,并从中优化出一套可用于计算中子直接非弹散射截面的能级参数.利用扭曲波Born近似和耦合道光学模型方法系统计算了上述三个核素共三十个分立能级的中子直接非弹散射截面,所涉及的中子能区从0.001MeV到25MeV.基于广泛可靠的实验基础,所得结果可信,并已被收入中国评价核数据库最新版本中.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Pb同位素分立能级参数及中子直接非弹散射截面
来源期刊 清华大学学报 学科 物理学
关键词 Pb 能级参数 扭曲波Born近似 中子直接非弹
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目 物理
研究方向 页码范围 8-11
页数 4页 分类号 O457.31
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-0054.2000.02.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈振鹏 清华大学物理系 5 5 1.0 2.0
2 彭钦增 清华大学物理系 1 0 0.0 0.0
3 祝清源 清华大学物理系 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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1987(1)
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  • 引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
Pb
能级参数
扭曲波Born近似
中子直接非弹
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
清华大学学报(自然科学版)
月刊
1000-0054
11-2223/N
大16开
北京市海淀区清华园清华大学
2-90
1915
chi
出版文献量(篇)
7846
总下载数(次)
26
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132043
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