金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

• 作者: 何宝平 刘传洋 刘家璐 姚育娟 张廷庆 张正选 彭宏论 徐娜军 汤华莲 王剑屏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属-氧化物-半导体场效应 辐射效应 阈值电压漂移
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1331-1334
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.024

摘要

研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.