p-Hg1-xCdxTe材料中轻空穴的性质研究

• 作者: 何力 桂永胜 王善力 蒋春萍 褚君浩 郑国珍 马智训
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 959-964
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.05.027

摘要

通过变磁场霍尔测量方法,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法,在1.2-300K范围内,获得了两块分子束外延(MBE)生长的p-Hg1-xCdxTe(x=0.224)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率.此外,在实验中,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献.实验值不仅具有明确的物理意义,而且有助于红外探测器模型的建立.