AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

• 作者: 夏冠群 孙晓玮 李洪芹 盛怀茂 程知群 钱蓉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 275-278
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.02.038

摘要

对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海冶金研究所	97	828	16.0	23.0
2	钱蓉	中国科学院上海冶金研究所	27	212	8.0	13.0
3	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
4	程知群	中国科学院上海冶金研究所	16	111	6.0	10.0
5	盛怀茂	中国科学院上海冶金研究所	4	52	3.0	4.0
6	李洪芹	中国科学院上海冶金研究所	6	62	3.0	6.0