可靠性工程与环境工程

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性工程 环境工程 电子产品可靠性 栅极漏电流 环境试验 机理分析 失效机理 互连工艺 失效分布 电子迁移
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 页码范围: 3-3
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62135-270 0019773亚微米互连工艺中电子迁移早期失效分布=Electro-migration on early failure distribution in submicron intercon-nects[会,英]/Gall,M.& Ho,P.S.//1999 IEEEProceedings of International Interconnect TechnologyConference.—270～272(EC)0019774GaAsMESFET 栅极漏电流退化机理分析[刊]/费庆字//电子产品可靠性与环境试验.—2000,(4).—8～11(A)高温存储试验后某种 GaAs MESFET 的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅-漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计