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摘要:
【正】 Y2000-62135-245 0019861采用 PECVD 氮化物用于混合信号和射频电路的高密度金属绝缘体金属电容器=High density metal insula-tor metal capacitors using PECVD Nitride for mixed sig-nal and RF circuits[会,英]/Kar-Roy,A.& Hu,C.//1999 IEEE Proceedings of InternationaI InterconnectTechnology Conference.-245~247(EC)
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电容量控制
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 电容器
来源期刊 电子科技文摘 学科 工学
关键词 高压铝电解电容器 金属绝缘体金属 射频电路 氮化物 混合信号 高密度 电子元件 电解质 去极化剂 表面层型半导体陶瓷电容器
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-12
页数 1页 分类号 TN
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节点文献
高压铝电解电容器
金属绝缘体金属
射频电路
氮化物
混合信号
高密度
电子元件
电解质
去极化剂
表面层型半导体陶瓷电容器
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技文摘
月刊
1009-0851
11-4388/TN
16开
1999
chi
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10413
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1
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71
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