热处理与表面处理工艺

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 表面处理工艺 后热处理 高密度等离子体 沉淀速率 高纵横比 技术研究 涂层 硅化物工艺 等离子体化学气相沉积 真空科学
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62135-152 0020165高纵横比175nm 技术用低再沉淀速率高密度等离子体 CVD 工艺=A low redeposition rate high density plas-ma CVD process for high aspect ratio 175nm technologyand beyond[会,英]/Lee,G.Y.& Ivers,T.H.//1999 IEEE Proceedizips of International InterconnectTechnology Conference.-152～154(EC)