p型半导体金刚石膜的磁阻效应

• 作者: 孔春阳 廖克俊 方亮 王万录 王蜀霞 马勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石膜 异质外延 磁阻效应 电导率
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1616-1622
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.040

摘要

在p型硅（100）衬底上，采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形，利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明，p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射，通过求解Boltzmann方程，利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应，给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响，初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学理学院应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学理学院应用物理系	66	513	12.0	19.0
3	马勇	重庆师范学院物理系	52	378	11.0	17.0
4	方亮	重庆大学理学院应用物理系	62	513	12.0	18.0
5	孔春阳	重庆大学理学院应用物理系	12	52	5.0	6.0
9	王蜀霞	重庆大学理学院应用物理系	26	122	6.0	9.0