以注氮SiO2作为铜互连技术中的新型阻挡层

• 作者: 于广华 夏洋 张国海 钱鹤 高文芳 龙世兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 互连 铜 阻挡层
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 271-274
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.005

摘要

采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子中心	67	325	9.0	14.0
2	于广华		88	372	9.0	14.0
3	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
4	张国海	中国科学院微电子中心	5	81	4.0	5.0
5	龙世兵		6	91	5.0	6.0
6	高文芳	中国科学院微电子中心	1	16	1.0	1.0