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Ф2″VGF法单晶炉和掺Si砷化镓单晶
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摘要：
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VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
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材料导报
主办单位：
重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
出版周期：
半月刊
ISSN：
1005-023X
CN：
50-1078/TB
开本：
大16开
出版地：
重庆市渝北区洪湖西路18号
邮发代号：
78-93
创刊时间：
1987
语种：
chi
出版文献量（篇）
16557
总下载数（次）
86
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