Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运

• 作者: G.M.Sessler 夏钟福 张冶文 张晓青
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 驻极体 薄膜 电荷储存 热离子发射
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 293-298
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.019

摘要

利用等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharge,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的存储特性.结果表明：在常温环境中，300℃高温下，以及95%相对湿度时的60℃条件下，所有试样表现出极好的电荷储存稳定性.对于负电晕充电试样，其电荷输运受慢再捕获效应(slow retrapping effect)控制；用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4/SiO2驻极体的正电荷输运特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张冶文	同济大学波耳固体物理研究所	77	666	15.0	23.0
2	夏钟福	同济大学波耳固体物理研究所	79	508	12.0	19.0
3	张晓青	同济大学波耳固体物理研究所	30	93	5.0	7.0
4	G.M.Sessler	达姆施塔特技术大学电声研究所	1	4	1.0	1.0