MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究

• 作者: 张国义 秦志新 童玉珍 陆曙 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN InN分凝 MOCVD
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.011

摘要

利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志忠	北京大学物理系	12	173	5.0	12.0
2	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
3	童玉珍	北京大学物理系	16	63	5.0	7.0
4	秦志新	北京大学物理系	5	7	2.0	2.0
5	陆曙	北京大学物理系	1	1	1.0	1.0