Si基β-SiC薄膜外延生长技术研究

• 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: β-SiC薄膜 外延生长 化学组分 工艺
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 187-189
• 页数: 3页
• 分类号: TQ163.4
• 字数: 2744字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.02.029

摘要

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长.利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析.提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子研究所	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
4	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0