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摘要:
利用放电等高子烧结技术制备纯TiB2陶瓷,烧结温度1600℃,压力30MPa,真空烧结,保温1~3分钟,即可获得相对密度达99%以上的致密烧结体.扫描电镜分析表明:烧结体晶粒细小,结构均匀;材料的晶粒随烧结温度的提高而长大;但烧结体的硬度分布不均匀.
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TiSi2
机理
烧结致密
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 放电等离子(SPS)快速烧结TiB2陶瓷
来源期刊 陶瓷学报 学科 工学
关键词 TiB2陶瓷 放电等离子烧结 致密 硬度
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 129-132
页数 4页 分类号 TQ174.75+8
字数 1449字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-2278.2001.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张东明 33 543 11.0 23.0
2 逄婷婷 4 74 4.0 4.0
3 付正义 5 99 4.0 5.0
传播情况
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放电等离子烧结
致密
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陶瓷学报
双月刊
1000-2278
36-1205/TS
16开
景德镇东郊新厂景德镇陶瓷学院
44-83
1980
chi
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