高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管

• 作者: 严北平 张鹤鸣 戴显英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准结构HBT 异质结
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 247-250
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.027

摘要

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准，采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管，器件直流电流增益大于20，电流增益截止频率fT大于30GHz，最高振荡频率fmax大于50GHz，连续波功率测量表明：在1dB增益压缩时，单指HBT可以提供100mW输出功率，对应的功率密度为6.67W/mm，功率饱和时最大输出功率112mW,对应功率密度为7.48W/mm，功率附加效率为67%．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学研究所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学研究所	102	510	12.0	16.0
3	严北平	西安电子科技大学微电子学研究所	5	7	2.0	2.0