提高硅片氧化均匀性的一种方法

• 作者: 李丙旺
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化通量 表面浓度 硅 氧化均匀性
• 年，卷（期）: jcdltx_2001,（1）
• 页码范围: 19-20
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.12

摘要

采用加大硅片的片与片之间距离的方法，通过氧化通量模型，证实了加大硅片氧化时的间距能使氧化剂气流更好地硅片表面均匀反应，提高了氧化层的均匀性，在实际生产中取得了很好的效果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丙旺		12	0	0.0	0.0