双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降

• 作者: 张兴 王旭社 甘学温
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅MOSFET 环栅MOSFET 电荷分享 阈值电压下降
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1581-1585
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.021

摘要

基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响,并用数值模拟验证了理论结果.这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	甘学温	北京大学微电子学研究所	13	141	7.0	11.0
3	王旭社	北京大学微电子学研究所	1	8	1.0	1.0