超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究

• 作者: 丁士进 张剑云 张卫 王季陶 王鹏飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学汽相淀积 C-V特性 介电常数
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 设计开发
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.01.011

摘要

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅(SiOF)介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的FTIR光谱，发现薄膜中大部分的氟以Si—F键形式存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王季陶	复旦大学电子工程系CVD研究室	24	155	7.0	11.0
2	王鹏飞	复旦大学电子工程系CVD研究室	15	50	5.0	6.0
3	丁士进	复旦大学电子工程系CVD研究室	29	174	7.0	12.0
4	张卫	复旦大学电子工程系CVD研究室	43	271	10.0	14.0
5	张剑云	复旦大学电子工程系CVD研究室	7	36	4.0	5.0