用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN外延生长 MOVPE RF-MBE 极性控制
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 324-328
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.04.003

摘要

本文报道了用低压MOVPE和RF-分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的GaN生长.以"双～单层"模型讨论了用MOVPE和MBE法在蓝宝石衬底上生长GaN的极性选择的机理,并对AlN在极性转换过程中的作用给出了适当的解释.通过极性控制的生长,使MBE法生长的GaN的表面形貌和电学特性都得到了改善;并对LP-MOVPE生长开发出了一种"三步生长法",这样就可以用更多的外延方式在蓝宝石衬底上生长出高质量的GaN膜.