PIXE、SEM与切片技术相结合研究低能离子注入种子的浓度-深度分布

• 作者: 周云龙 周宏余 朱光华 汪新福 温琛林 王广甫 王超 陆挺 陈如意
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 质子激发X荧光 扫描电镜 种子 离子注入 浓度-深度分布
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 456-460
• 页数: 5页
• 分类号: O31|O571.33
• 字数: 1854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2001.06.005

摘要

用质子激发X荧光分析和扫描电子显微镜与切片技术相结合对能量为200keV的钒离子注入花生后的浓度-深度分布进行了测定，注入剂量为9×1016/cm2。结果显示，钒离子注入花生后的浓度-深度分布与离子注入金属、半导体中的分布有明显的差异：离子的射程歧离很大，少数离子的射程延伸到很深的区域。这种分布特征可能与植物种子具有疏松的结构有关。