一种用于C－V测度的硅栅电容制作方法

• 作者: 张辉然
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: C-V测试 硅栅电容制作 多晶硅 电极材料
• 年，卷（期）: jcdltx_2001,（1）
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.12

摘要

采用掺磷多昌硅作电极材料与场注入隔离技术相结合的硅栅电容制作方法，克服了用AL做电有材料的C－V测试结构在实践中的不足，目前已在CMOS工艺中得到应用。

作者信息

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1	张辉然		1	0	0.0	0.0