HL—1M装置真空壁硅化的研究

• 作者: 严东海 王恩耀
• 来源期刊: 四川真空
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化 再循环 真空壁 托卡马克装置 HL-1M装置 放电
• 年，卷（期）: sczkb_2001,（1）
• 页码范围: 38-46
• 页数: 9页
• 分类号: TL631.24

摘要

CDC（He+SiH4)是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体作用下，通过气相中的电子碰撞离解，电离，离子－分子反应和在壁面上的He^+诱导脱H2过程，一种无定形的，半透明的，致密的氢化硅（α-Si:H)薄膜被沉积在清洁的真空壁表面。在托卡马克放电中，硅化壁的特点是有良好的H（D）捕获得，H2（D2）释放和低再循环性能，强的控制杂质能力和较长的寿命时间，结果显著地拓宽了等离子体密度ne,持续时间Tp和能量约束时间τE等的运行范围。自1996年以来，它成功地演证LHCD，ICRH，ECRH，NBI，PI，MBI实验和升级等离子体运行提供了良好的真空壁条件，并取得了丰硕的物理实验和工程技术的研究成果。同时还为利用中型装置在长脉冲放电条件下，开展等离子体与表面互相作用（PSI)提供了一条新的途径，本文主要描述HL－1M装置的Si化关系，参数和放电进展。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严东海		17	46	5.0	6.0
2	王恩耀		30	56	5.0	6.0