集成电路中金属连线下多晶硅电阻的不稳定性分析及抑制方法

• 作者: 余宁梅 陈治明 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 互连
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 511-515
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.026

摘要

作为集成电路的电阻单元，掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性，尤其在金属连线下更为严重．分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性．结果表明，阻值的不稳定性主要由载流子迁移率改变引起．通过测试和运用Seto’s模型计算进一步发现，在铝连线底下势垒高度和俘获的电荷密度均有降低．电荷的俘获／反俘获在多晶硅晶粒边界发生引起势垒高度的变化，从而导致阻值不稳定．然后，借助于补偿的离子注入制作了高稳定的、阻值在千欧级的多晶硅电阻．该方法使得多晶硅晶粒边界电荷的俘获／反俘获对氢退火不敏感．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	余宁梅	西安理工大学自动化与信息工程学院	97	476	11.0	15.0
3	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0