X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜

• 作者: 周劲 唐英杰 张国义 杨志坚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 氢化物汽相外延 X射线分析
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.019

摘要

氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐英杰		3	49	3.0	3.0
2	张国义		49	229	9.0	13.0
3	杨志坚		11	156	4.0	11.0
4	周劲		4	6	1.0	2.0