超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟

• 作者: 张启义 田强
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 电场畴 电流自激振荡 数值模拟 超晶格
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 619-622
• 页数: 4页
• 分类号: O481
• 字数: 1847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.05.011

摘要

对于弱耦合掺杂GaAs/AlAs超晶格,采用分立漂移模型,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴形成的动态行为和物理机制,并分析了弱耦合掺杂超晶格的电流自激振荡现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	张启义	北京师范大学物理学系	4	15	2.0	3.0