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超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟
超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟
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摘要：
对于弱耦合掺杂GaAs/AlAs超晶格,采用分立漂移模型,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴形成的动态行为和物理机制,并分析了弱耦合掺杂超晶格的电流自激振荡现象.
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文献信息
| 篇名 | 超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟 | ||
| 来源期刊 | 北京师范大学学报(自然科学版) | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 电场畴 电流自激振荡 数值模拟 超晶格 | ||
| 年，卷（期） | 2001,（5） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 619-622 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | O481 |
| 字数 | 1847字 | 语种 | 中文 |
| DOI | 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.05.011 | ||
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研究主题发展历程
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电流自激振荡
数值模拟
超晶格
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期刊影响力
北京师范大学学报(自然科学版)
主办单位：
北京师范大学
出版周期：
双月刊
ISSN：
0476-0301
CN：
11-1991/N
开本：
大16开
出版地：
北京新外大街19号
邮发代号：
82-406
创刊时间：
1956
语种：
chi
出版文献量（篇）
3342
总下载数（次）
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