1 MeV中子在Si和SiO2中非电离能量损失和电离能量损失的蒙特卡罗计算

• 作者: 张义门 张玉明 陈世彬 陈雨生 黄流兴
• 来源期刊: 辐射防护
• 关键词: 中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗模拟 能量沉积
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 工作简报
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TL
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8187.2001.01.009

摘要

在现有实验数据的基础上结合多种理论,给出了计算中子在材料中非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)的蒙特卡罗(MC)计算方法,利用此方法编写的计算程序可以对任意材料、多层结构中中子产生的NIEL和IEL以及空位和声子分布等进行计算.对硅和二氧化硅材料1 MeV中子损伤进行的计算结果表明,此方法是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
2	陈世彬		4	39	3.0	4.0
3	陈雨生		36	433	11.0	19.0
4	黄流兴		21	137	7.0	11.0
5	张义门		2	31	2.0	2.0