杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 不完全电离 MOSFET 电特性
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 888-891
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.015

摘要

在分析SiC中杂质部分离化时,考虑了Frenkel-Pool效应,通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程,提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷(charge-sheet)数值模型.对SiC中杂质不完全离化的研究表明,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强,对于SiC MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0