CMOS集成电路自锁效应的分析

• 作者: 朱先宇 柯导明
• 来源期刊: 电脑应用技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 自锁效应 维持电流 可控硅
• 年，卷（期）: 2001,（51）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN432

摘要

本文详细讨论了－55℃-125℃CMOS集成电路的自锁效应维持电流与温度的关系，导出了近似表达式IH（T）＝IH（T1）（T1／T）^m，并给出了m的估算值。计算结果表明近似公式误差小。能完整反映－55℃-125℃的IH（T）变化规律并能与实验结果符合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子工程与信息科学系	83	423	10.0	17.0
2	朱先宇	安徽大学电子工程与信息科学系	1	0	0.0	0.0