Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征

• 作者: Arakawa Y Someya T 刘杰 刘治国 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 李卫平 毕朝霞 沈波 郑有炓 郑泽伟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 AlxGa1-xN/GaN
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.014

摘要

通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属-铁电-半导体(MFS)结构.在高频电容-电压(C-V)特性测量中,发现Al0.22Ga0.78N/GaN异质界面二维电子气(2DEG)的浓度在-10V偏压下从1.56×1013cm-2下降为5.6×1012cm-2.由于PZT薄膜的铁电极化,在-10V偏压下可以观察到宽度为0.2V的铁电C-V窗口,表明在没有铁电极化方向反转的条件下,PZT/AlxGa1-xN/GaN MFS结构也能出现存储特性.因为2DEG带来的各种优点,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用.