1.3μmInAsP调制掺杂的MQW激光器

• 作者: Shimi.,H 刘大洲
• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 通信系统 数据通信 掺杂 外延生长 N型 P型 量子阱激光器 应变
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 14-22
• 页数: 9页
• 分类号: TN248.4

摘要

以进一步改善长波长应变多量了阱（MQW）激光器为目的，利用气源分子束外延（MBE）研究了n型和p型调制掺杂两种情况对多量子阱激光器性能的影响，在n型调制掺杂的MQW（MD－MQW）激光器的1200μm长器件上，获得了阈值电源密度低至250A/cm^2，在1．3μmInAsPn型MD－MQW激光器件中，获得了室温时的阈值电流为0.9mA,这是迄今为止对于n型调制掺杂的长波长激光器报导最低的数据。并且是由各种MBE在长波长波段生长的激光器最低的数值，在n型MD－MQW激光器中阈值电流和载流子寿命的降低，可使运转滞后时间减小30％左右，以n型调制掺杂的1.3μmInAsP应变MQW激光器具有很低的功率消耗和很小的运转滞后时间，这对于应用在高密度并行光学互连系统激光列阵上，是很有吸引力的，另一方面，与未掺杂MQW激光器比较，对于p型MD－MQW激光器可以确认，微分增益可增加1．34倍，且与末掺杂MQW激光器比较，运转滞后时间减小20％，这些结果表明，p型调制掺杂很适合于高速激光器。