沟道热载流子导致的PDSOI NMOSFET's击穿特性

• 作者: 刘红侠 朱建纲 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 器件寿命 SOI NMOSFET's SIMOX
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1038-1043
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.018

摘要

对热载流子导致的SIMOX衬底上的部分耗尽SOI NMOSFET's 的栅氧化层击穿进行了系统研究．对三种典型的热载流子应力条件造成的器件退化进行实验．根据实验结果，研究了沟道热载流子对于SOI NMOSFET's前沟特性的影响．提出了预见器件寿命的幂函数关系，该关系式可以进行外推．实验结果表明，NMOSFET's 的退化是由热空穴从漏端注入氧化层，且在靠近漏端被俘获造成的，尽管电子的俘获可以加速NMOSFET's的击穿．一个Si原子附近的两个Si—O键同时断裂，导致栅氧化层的破坏性击穿．提出了沟道热载流子导致氧化层击穿的新物理机制．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子所	91	434	10.0	15.0
3	朱建纲	西安电子科技大学微电子所	5	13	3.0	3.0