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声光晶体TeO2的生长及缺陷研究
声光晶体TeO2的生长及缺陷研究
作者:
刘冬华
史伟民
季小红
李冬梅
桑文斌
钱永彪
闵嘉华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
声光晶体
TeO2晶体
晶体缺陷
工艺参数
摘要:
本文研究了直拉TeO2晶体中的主要晶体缺陷形成机理,讨论分析了TeO2单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明:晶体裂缝主要与温度梯度有关,温度梯度大于20~25℃/cm及出现界面翻转时,易造成晶体的开裂,位错密度增加;晶体中的包裹体主要为气态包裹体,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关,转速15~18r/min,拉速0.55mm/h,固液界面微凹,可以减少晶体中的气态包裹体;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起,当台阶间距较宽时,易形成包裹体。
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Bridgman法生长TeO2晶体的缺陷分析
TeO2晶体
晶体缺陷
Bridgman法
晶体生长
形成机理
CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响
氧化碲晶体
CZ法
工艺参数
晶体缺陷
内容分析
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期刊文献
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文献信息
篇名
声光晶体TeO2的生长及缺陷研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
声光晶体
TeO2晶体
晶体缺陷
工艺参数
年,卷(期)
2001,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
93-98
页数
6页
分类号
O782|O77
字数
3120字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2001.01.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
桑文斌
上海大学嘉定校区电子信息材料系
53
535
15.0
20.0
2
闵嘉华
上海大学嘉定校区电子信息材料系
54
281
10.0
15.0
3
钱永彪
上海大学嘉定校区电子信息材料系
14
108
6.0
10.0
4
史伟民
上海大学嘉定校区电子信息材料系
56
313
10.0
14.0
5
李冬梅
上海大学嘉定校区电子信息材料系
15
154
6.0
12.0
6
季小红
上海大学嘉定校区电子信息材料系
1
11
1.0
1.0
7
刘冬华
上海大学嘉定校区电子信息材料系
4
20
2.0
4.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(6)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(14)
二级引证文献
(66)
1969(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1971(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1980(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1981(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2002(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2003(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2004(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
2005(6)
引证文献(0)
二级引证文献(6)
2006(3)
引证文献(0)
二级引证文献(3)
2007(1)
引证文献(0)
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引证文献(0)
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引证文献(0)
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声光晶体
TeO2晶体
晶体缺陷
工艺参数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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