氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO2/Si结构平带电压的影响

• 作者: 傅鹤鉴 向少华 廖伟 张明高 彭志坚 谢茂浓
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧等离子体 聚硅烷涂层 平带电压
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 专家访谈
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.01.019

摘要

氧等离子体处理高阻P型〈100〉硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达-0.55~-0.88V，比同一环境热氧化制备的SiO2/Si结构平带电压小得多。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢茂浓	四川大学物理系	11	57	3.0	7.0
2	傅鹤鉴	四川大学化学系	10	54	5.0	7.0
3	彭志坚	四川大学化学系	5	24	3.0	4.0
4	张明高	四川大学物理系	14	184	6.0	13.0
5	廖伟	四川大学物理系	5	51	3.0	5.0
6	向少华	怀化师专物理系	1	0	0.0	0.0